
在电路设计过程中,合理搭配主动器件与被动器件是实现高性能系统的关键。主动器件承担“智能”角色,如信号放大、开关控制;而被动器件则扮演“支撑”角色,如调节频率响应、稳定工作点。
在模拟集成电路中,如运算放大器(Op-Amp),主动器件(如双极型晶体管或场效应管)构成核心放大单元。其高增益特性使微小输入信号得以显著放大,适用于传感器信号调理、音频放大等场景。
在高频通信系统(如5G基站、雷达系统)中,被动器件的性能直接影响系统稳定性与效率。
随着半导体技术的发展,主动器件正朝着更小尺寸、更高集成度方向演进,如三维堆叠晶体管(3D NAND)、GAAFET结构。与此同时,被动器件也向薄膜化、微型化发展,如陶瓷多层电容器(MLCC)、片式电感。未来,主动与被动器件将在系统级封装(SiP)和先进封装技术中深度融合,实现更高性能、更低功耗的智能终端产品。
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